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單晶生長(zhǎng)爐是一種用于生長(zhǎng)單晶材料的設(shè)備，以下將從其工作原理、結(jié)構(gòu)組成、應(yīng)用領(lǐng)域等維度展開詳細(xì)介紹：
1.工作原理
      直拉法：把多晶材料放入石英坩堝內(nèi)，用石墨加熱器加熱使其熔化。將籽晶固定在籽晶軸上，插入熔體表面，待籽晶與熔體熔合后，慢慢向上拉籽晶，同時(shí)控制籽晶的旋轉(zhuǎn)速度，晶體便會(huì)在籽晶下端生長(zhǎng)。通過(guò)控制拉速、溫度、坩堝轉(zhuǎn)速等參數(shù)，實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)，如單晶硅的生長(zhǎng)大多采用直拉法。
      區(qū)熔法：利用高頻感應(yīng)加熱線圈使多晶材料局部熔化形成熔區(qū)，熔區(qū)在多晶棒上緩慢移動(dòng)，使熔化的部分在凝固過(guò)程中形成單晶。這種方法主要用于制備高純度的半導(dǎo)體單晶，如鍺單晶、硅單晶等。
2.結(jié)構(gòu)組成
      主機(jī)部分：包括機(jī)架、爐體、水冷式閥座、晶體提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、坩堝提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)等。爐體通常采用雙層水冷結(jié)構(gòu)，以保證設(shè)備在高溫下的正常運(yùn)行；晶體提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)和坩堝提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)用于控制晶體和坩堝的運(yùn)動(dòng)，正確調(diào)整籽晶與熔體的相對(duì)位置以及晶體的生長(zhǎng)速度和旋轉(zhuǎn)速度。
      加熱系統(tǒng)：一般采用石墨加熱器，能夠產(chǎn)生高溫使多晶材料熔化。加熱電源為加熱器提供穩(wěn)定的電力，全水冷電源裝置配以高頻變壓器，構(gòu)成新一代高頻開關(guān)電源，可提高電能轉(zhuǎn)換效率。
      真空系統(tǒng)：由真空泵、真空管道、真空計(jì)等組成，用于抽出爐內(nèi)的空氣，建立真空環(huán)境，以減少雜質(zhì)的混入，同時(shí)正確控制爐內(nèi)的真空度。
      氣體控制系統(tǒng)：主要控制惰性氣體（如氮?dú)?、氦氣、氬氣等）的流量和壓力，保護(hù)熔體和生長(zhǎng)的晶體不受氧化，同時(shí)調(diào)節(jié)爐內(nèi)氣氛。
      計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)：采用 PLC 和上位工業(yè)平板電腦 PC 機(jī)，配備大屏幕觸摸式 HMI 人機(jī)界面、高像素 CCD 測(cè)徑 ADC 系統(tǒng)和具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的監(jiān)控系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)從抽真空、檢漏、爐壓控制、熔料、引晶、放肩、等徑、收尾到停爐全過(guò)程自動(dòng)控制。
3.應(yīng)用領(lǐng)域
      半導(dǎo)體行業(yè)：用于生產(chǎn)硅、鍺、砷化鎵等半導(dǎo)體單晶材料，這些單晶材料是制造集成電路、晶體管、二極管、太陽(yáng)能電池等半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
      光學(xué)領(lǐng)域：可生長(zhǎng)出激光晶體、光纖晶體、液晶基板和光學(xué)透鏡等光學(xué)器件的單晶材料，用于激光技術(shù)、光通信、成像技術(shù)等領(lǐng)域。
      能源領(lǐng)域：用于制備離子電池材料、陶瓷材料和電子陶瓷材料等無(wú)機(jī)材料的單晶，在能源存儲(chǔ)、高溫超導(dǎo)、傳感器等方面有著廣泛的應(yīng)用。
3.型號(hào)分類：?jiǎn)尉t型號(hào)主要有兩種命名方式，一種以投料量來(lái)命名，如 120、150 等型號(hào)；另一種以爐室直徑來(lái)命名，如 85 爐是指主爐筒的直徑大小。