脫脂燒結(jié)一體化爐是一種用于材料處理的設(shè)備,主要用于金屬粉末注射成型(MIM)、粉末冶金、陶瓷等領(lǐng)域,可在同一爐體內(nèi)實(shí)現(xiàn)脫脂和燒結(jié)兩道生產(chǎn)工序。以下是其相關(guān)介紹: 1.工作原理:脫脂階段,通過加熱和特定氣氛條件,使材料中的粘結(jié)劑(如 PEG、石蠟、橡膠等)揮發(fā)或分解去除。燒結(jié)階段,在高溫和一定的壓力(如真空、分壓、微正壓等)環(huán)境下,使粉末顆粒之間發(fā)生原子擴(kuò)散和融合,從而提高材料的致密度和力學(xué)性能等。
AMB 精密釬焊爐具有多方面的優(yōu)勢(shì),主要體現(xiàn)在以下幾點(diǎn): 1.優(yōu)良的真空環(huán)境:采用多級(jí)抽氣系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)高真空度,通常極限真空度能達(dá)到 10??Pa 左右。在這樣的高真空環(huán)境下,能消除氧、氮等活性氣體對(duì)釬料和基材的氧化污染,避免了焊接過程中金屬表面氧化膜的形成,從而獲得極其清潔、無焊劑殘留的釬焊接頭,保證了焊接質(zhì)量。同時(shí),高真空還能降低氣體分子對(duì)活性元素?cái)U(kuò)散的阻礙,加速界面反應(yīng),有助于提高釬料與陶瓷、金屬等材料的結(jié)合強(qiáng)度。
單晶生長爐是一種用于生長單晶體的設(shè)備,在半導(dǎo)體、光學(xué)、電子等多個(gè)領(lǐng)域有著至關(guān)重要的作用,主要包括以下幾個(gè)方面: 1.半導(dǎo)體材料制備:在半導(dǎo)體行業(yè),單晶硅是制造集成電路芯片的關(guān)鍵材料。單晶生長爐通過正確控制溫度、氣氛、拉速等參數(shù),能夠生長出大尺寸、高純度、低缺陷的單晶硅錠。這些單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨、拋光等后續(xù)加工工序,制成硅片,為芯片制造提供基礎(chǔ)材料。高質(zhì)量的單晶硅對(duì)于提高芯片的性能、降低功耗以及提高成品率具有決定性作用。
單晶生長爐具有以下特點(diǎn): 1.正確控制方面 溫度正確:能夠?qū)囟瓤刂圃诜浅U_的范圍內(nèi),比如直拉法生長硅單晶時(shí),要將石英坩堝內(nèi)多晶硅原料加熱到 1450℃以上并保持穩(wěn)定。熱場(chǎng)溫度分布的正確度直接影響晶體生長的質(zhì)量,若溫度波動(dòng)過大,可能導(dǎo)致晶體產(chǎn)生缺陷、雜質(zhì)分布不均勻等問題。